【48812】ASML将在今年底发货第一台高NAEUV光刻机 估量单台本钱3-4亿美元

来源：米乐mile官网    发布时间：2024-06-10 19:56:32

  ASML宣告，将在今年底发货第一台支撑高NA(数值孔径)的EUV极紫外光刻机，类型“Twinscan EXE:5000”。

  NA数值孔径是光刻机光学体系的重要目标，直接决议了光刻的实践分辨率，以及最高能到达的工艺节点。

  可是，金属距离缩小到30nm以下之后，也便是对应的工艺节点逾越5nm，这样的分辨率就不够了，只可以运用EUV两层曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技能来辅佐，不但会大幅度进步本钱，还会下降良品率。

  因而，更高的NA成为必需，新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也将缩小到8nm。

  EXE:5000有点像是试验渠道，供芯片制造厂学习怎么样运用高NA EUV技能，而估量2025年发货的下一代EXE:5200，才干支撑大规模量产。

  Intel开始方案在其18A(1.8nm)工艺节点运用ASML的高NA EUV光刻机，2025年量产，但后来提早到了2024年下半年，等不及ASML的新机器。

  所以，Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E，叠加两层曝光来完结18A工艺，一起运用运用资料的Endura Sculpta的曝光成形体系来尽或许削减两层曝光的运用。

  尽管如此，Intel仍然会是高NA EUV光刻机的第一家客户，或许会在18A节点的后期引进它。

  台积电、三星都方案在2025年晚些时候投产2nm工艺，或许也会用上高NA EUV光刻机。

  至于这种先进光刻机的价格，没有官方数据，不同陈述估量在单台本钱就要3-4亿美元，相当于人民币22-29亿元。

  ASML宣告，将在今年底发货第一台支撑高NA(数值孔径)的EUV极紫外光刻机，类型Twinscan EXE:5000。NA数值孔径是光刻机光学体系的重

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