单台27亿元,购买要排队!下一代EUV光刻机开展神速,2024年进FAB
EETOP音讯,据外媒《Anandtech》报导,现在,最先进的芯片选用 5/4 纳米级工艺制作,运用 EUV 光刻 ASML 的 Twinscan NXE:3400C(和相似)体系,具有 0.33 数值孔径 (NA) 光学器材,可供给 13 nm 分辨率。该分辨率关于 7 nm/6 nm 节点(距离为 36 nm ~ 38 nm)和 5nm 节点(距离为 30 nm ~ 32 nm)的单一曝光技能已满足。但随着距离低于 30 nm(超越 5 nm 节点),3纳米分辨率加两层曝光技能,将是未来几年内干流技能运用。
关于后 3nm 节点,ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 东西——TwinscanEXE:5000 系列——具有 0.55 NA(高 NA)透镜,可以在必定程度上完结 8nm 分辨率,使3纳米及更先进节点制程尽或许避开运用两层或多重曝光。
新的高 NA 光刻机仍在开发中,估计它们将很杂乱、十分巨大且价格昂贵——每台的本钱将超越 4 亿美元(约合27亿RMB)。据悉光运送该设备就需动用三架波音747。High-NA EUV 光刻曝光设备不只需求新光学器材,还需求新光源资料,如德国蔡司 (Carl Zeiss) 真空制作的抛光、超润滑曲面镜组成的光学体系,乃至还需求更大厂房包容机器,都需求巨大出资。
但为了坚持半导体的功能、功率、面积和本钱 (PPAc),抢先的逻辑芯片和存储设备制作商乐意选用新技能,而高 NA EUV光刻机关于后 3nm 至关重要节点。因而,对高 NA s设备的需求十分高。
《路透社》报导,ASML阐明获得5笔High-NAEUV微影曝光设备先导型订单,预订2024年交货。 还有超越5笔订单是2025年开端交货的量产型类型。
早在 2020~2021 年,ASML就表明收到三家客户 High-NA EUV 微影曝光设备意向订单,数量多达 12 套体系。可必定的是,英特尔、三星和台积电等必定拿下 2020~2021 年试出产的 High-NA EUV 光刻曝光设备。ASML已为Imec出产首个High-NA EUV光刻曝光设备,估计2023年完结用于研制。
不久前,ASML执行长Peter Wennink表明,High-NA EUV光刻光曝光设备获得杰出开展,已开端于荷兰新无尘室打造第一部High-NA EUV光刻曝光设备。 第一季度ASML收到多份EXE: 5200订单,5月也收到其他EXE:5200订单。 现在有三个逻辑芯片和两个内存客户订单。 未来设备交货将为曝光微影技能功能和出产力供给更多开展。
ASML的 TwinscanEXE:5200 比惯例Twinscan NXE:3400C 机器杂乱得多,因而构建这些东西需求更长的时刻。该公司期望在未来中期可供给多达20 台 High-NA 体系,这或许意味着其客户将不得已为这些机器打开竞赛。
“咱们还在与咱们的供应链合作伙伴评论,以保证在中期内拥有约20 个 EUV0.55NA 体系的产能。”Wennink说。
到现在为止,仅有承认运用ASML 的High-NA 东西的工艺技能是 英特尔的 18A 节点,该节点曾方案在 2025 年进入量产,大约是 ASML 开端交给其出产的 High-NAEUV 体系的时刻。但最近英特尔将18A 的出产时刻推迟到2024 年下半年,并 表明 可以正常的运用 ASML 的 TwinscanNXE:3600D 或NXE:3800E 进行18A 制作,这大概是经过多重曝光形式来完成。
到现在为止,仅有承认运用ASML High-NA EUV光刻曝光设备的是英特尔18A制程节点。英特尔方案2025年进入批量出产阶段,ASML也约那时开端交给High-NA EUV设备。但最近英特尔已将18A出产规划延到2024年下半年,并表明可用ASML Twinscan NXE:3600D或NXE:3800E出产,显现或许借多重曝光形式达到High-NAEUV设备的作用。
尽管英特尔18A制程技能会大大受惠于High-NA EUV微影曝光设备,但也代表彻底离不开Twinscan EXE:5200设备。尽管英特尔18A制程技能不必定需求新机器,但多重曝光形式意味有必要冒更长产品出产周期、更低良率以更低获利危险,这将使英特尔更难与对手竞赛。英特尔必定也期望 18A 制程节点赶快到来,重拾往日荣耀,好从台积电手中夺回晶圆代工领头羊的位置。其他抢先半导体制作商台积电、三星、SK海力士和美光等,也不可避免选用High-NA EUV微影曝光设备出产,但仅有问题是终究何时会产生。回来搜狐,检查更加多
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